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2024年中國(guó)石油大學(xué)（北京）非全日制研究生招生考試《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考試大綱

來(lái)源：在職研究生招生信息網(wǎng) 發(fā)布時(shí)間：2023-11-17 16:17:31

　　一、試卷結(jié)構(gòu)

　　本部分試題內(nèi)容包括：概念題、選擇題、簡(jiǎn)述題、計(jì)算題、分析題等，分值共計(jì)150分。要求考生明晰基本概念與基本原理，并能夠利用其計(jì)算與分析。

　　二、考試內(nèi)容

　　1、固體結(jié)構(gòu)

　　1)電子空間排布、鍵合、原子間相互作用力、鍵合與基本物理性質(zhì)聯(lián)系;

　　2)晶體與非晶體、晶胞、晶系、晶面指數(shù)與晶向指數(shù)及其關(guān)系、晶面間距、晶帶、布拉菲點(diǎn)陣;

　　3)典型金屬的點(diǎn)陣類型與晶體結(jié)構(gòu)、堆垛方式、晶胞原子數(shù)、配位數(shù)、致密度、密排晶向與密排晶面、四面體與八面體間隙的幾何性質(zhì);

　　4)常見(jiàn)共價(jià)晶體、離子晶體晶體結(jié)構(gòu)與配位方式;

　　5)合金的相結(jié)構(gòu)：相、組織、固溶體和中間相的概念、分類與常見(jiàn)性質(zhì);

　　6)高分子的近程鏈結(jié)構(gòu)和遠(yuǎn)程鏈結(jié)構(gòu);

　　7)高分子晶體形態(tài)、晶態(tài)結(jié)構(gòu)模型、晶胞結(jié)構(gòu)和非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。

　　2、晶體缺陷

　　1)點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)、面缺陷的常見(jiàn)種類與基本概念;

　　2)位錯(cuò)理論的起源、位錯(cuò)類型、柏氏矢量、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)(滑移與攀移)、位錯(cuò)的分解與合成、實(shí)際晶體中的位錯(cuò)、位錯(cuò)的增殖、位錯(cuò)與強(qiáng)度塑性的關(guān)系;

　　3)面缺陷的類型、界面結(jié)構(gòu)及特性。

　　3、固體中原子及分子的運(yùn)動(dòng)

　　1)擴(kuò)散第一、第二定律;

　　2)擴(kuò)散機(jī)制、分類、影響擴(kuò)散的因素;

　　3)擴(kuò)散定律在表面處理等工藝中的應(yīng)用與計(jì)算;

　　4)高分子的分子運(yùn)動(dòng)和柔順性、分子運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)影響因素、三種力學(xué)狀態(tài)(玻璃態(tài)、高彈態(tài)和粘流態(tài))的概念與特點(diǎn)。

　　4、凝固與結(jié)晶

　　1)結(jié)晶規(guī)律、過(guò)冷現(xiàn)象、結(jié)晶的熱力學(xué)條件;

　　2)均勻與非均勻形核、臨界晶核半徑、形核功，晶體長(zhǎng)大機(jī)制與形態(tài);

　　3)晶粒尺寸控制原理與方法，單晶、非晶、柱狀晶制備原理與方法;

　　4)高分子的結(jié)晶過(guò)程(結(jié)晶相似性)，影響結(jié)晶能力的結(jié)構(gòu)因素(結(jié)晶差異性)。

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